特許

J-GLOBAL ID：200903028540685492

半導体装置の製造方法

発明者： 横井 孝弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-334969
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181172
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 アライメントのズレが生じるとコンタクトホールが必要以上にエッチングされ、他の導電部まで到達してしまうという問題点があった。【解決手段】 第1の配線層3上に積層された第2の層間絶縁膜5を第1の配線層3に至るまでエッチングしコンタクトホールを形成する際、エッチングのエッチングエンドが、コンタクトホール12aを形成する際に必要な第2の層間絶縁膜5のエッチング量にて飽和するようエッチングのエッチング条件をエッチングガスの添加ガスとしての酸素ガスの添加比率を変化させることにより設定した。

請求項（抜粋）：

半導体基板または第1の配線層上に積層された層間絶縁膜を上記半導体基板または上記第1の配線層に至るまでエッチングしコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法において、上記エッチングのエッチングエンドが、上記コンタクトホールを形成する際に必要な上記層間絶縁膜のエッチング量にて飽和するよう上記エッチングのエッチング条件を設定したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/90 C ,  C23F 4/00 F ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• コンタクトホールの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-124323   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平4-102331
  
• 特開平4-102331
  
• 特開平4-102331
  
• 特開平4-102331