シリコンウエハのエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076669
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269180
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】シリコンウエハの事前検査を省略することができ,リーク電流を原因とするエッチングのばらつきが生じ難く,加工コストが安価である,シリコンウエハのエッチング方法を提供すること。【解決手段】 P層11とN層12とよりなり,P層11にはエッチングマスク110が施されたシリコンウエハ1を準備し,これをエッチング液に浸した状態でN層側に正電圧を印加し,シリコンウエハ1のP層11のエッチングマスク110のない領域を所定量除去する。エッチング初期にN層11からP層12へのリーク電流の有無を判定し,この判定に基づいてシリコンウエハ1を2種類の異なるエッチングシーケンスにて処理する。

請求項（抜粋）：

PN接合により一体となったP層とN層とよりなり,該P層側の一部領域にはエッチングマスクが施されたシリコンウエハを準備し,該シリコンウエハをエッチング液に浸した状態でN層側に正電圧を印加し,シリコンウエハのP層のエッチングマスクのない領域を所定量除去するシリコンウエハのエッチング方法において,エッチング初期にN層からP層へのリーク電流の有無を判定し,この判定に基づいてシリコンウエハを2種類の異なるエッチングシーケンスにて処理することを特徴とするシリコンウエハのエッチング方法。

Fターム (13件)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD07 , 5F043DD14 , 5F043DD23 , 5F043DD25 , 5F043DD26 , 5F043DD30 , 5F043EE10 , 5F043EE14 , 5F043EE16 , 5F043FF10 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-209778
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-250162 出願人：日本電装株式会社

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