特許
J-GLOBAL ID:200903028552865658
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
田邊 義博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-165726
公開番号(公開出願番号):特開2005-005065
出願日: 2003年06月10日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】大気圧近傍の圧力下で安定したグロー放電プラズマを広範囲に形成し、処理対象が大面積の金属部材であっても、その表面全体を同時に処理可能な生産性の高いプラズマ処理を可能とすること。【解決手段】プラズマ処理装置1は、複数の貫通孔2を有する金属基板3の表面に誘電体層11を設けてこれを複数重ね合わせた第一電極部4と、第一電極部4に対して平行に配し対向電極を形成する第二電極部5と、貫通孔2と間隙APに対して大気圧近傍の圧力の不活性ガスを供給する第一ガス供給手段6および第二ガス供給手段7と、表面処理用ガスまたは反応性ガスを間隙APに供給する第三ガス供給手段8と、金属基板3間に電圧を印加して貫通孔2にプラズマを発生させるための第一電源9と、第一電極部4と第二電極部5との間に電圧を印加して間隙APにプラズマを発生させるための第二電源10と、を備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の貫通孔を有する金属基板の表面に誘電体層を設け、当該金属基板を前記貫通孔が一致するように複数重ね合わせた第一電極部と、
前記第一電極部に対して平行に配し対向電極を形成する第二電極部と、を用いるプラズマ処理方法であって、
前記第一電極部の貫通孔に対して前記第一電極部から前記第二電極部へ向かう方向に大気圧近傍の圧力の不活性ガスを供給するステップと、
前記第一電極部と前記第二電極部との間に形成される間隙において当該間隙の厚さ方向に垂直な一方向に流れるように、大気圧近傍の圧力の不活性ガスを供給するステップと、
表面処理用ガスを前記間隙へ供給するステップと、
前記第一電極部の金属基板間に電圧を印加して前記貫通孔内ないしその近傍にプラズマを発生させるステップと、
前記第一電極部と前記第二電極部との間に電圧を印加して前記間隙内ないしその近傍にプラズマを発生させるステップと、
前記間隙内ないしその近傍に発生したプラズマを利用し、前記間隙中のガスの流れを受けるように前記間隙の端部に近接して配向させた処理対象部材に表面処理を施すステップと、
を含んだことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件):
H05H1/24
, B01J19/08
, H01J9/02
, H01J11/02
, H01L21/3065
, H01L21/31
FI (7件):
H05H1/24
, B01J19/08 E
, B01J19/08 H
, H01J9/02 F
, H01J11/02 B
, H01L21/31 C
, H01L21/302 101E
Fターム (62件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BA05
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075CA47
, 4G075CA63
, 4G075DA02
, 4G075EB01
, 4G075EC21
, 4G075FA01
, 4G075FB02
, 4G075FC15
, 5C027AA07
, 5C027AA09
, 5C027AA10
, 5C040FA10
, 5C040GD07
, 5C040GD09
, 5C040GF13
, 5C040GF18
, 5C040GF20
, 5C040JA07
, 5C040KA04
, 5C040KA09
, 5C040KA11
, 5C040KB19
, 5C040MA26
, 5F004AA16
, 5F004BA03
, 5F004BA07
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BB24
, 5F004BB28
, 5F004BD04
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F045AA08
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AC02
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045AD04
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AE25
, 5F045AE29
, 5F045AE30
, 5F045BB08
, 5F045DP03
, 5F045DP27
, 5F045EF05
, 5F045EH05
, 5F045EH13
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