特許
J-GLOBAL ID：200903028565439208
気密封止型半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-370138
公開番号（公開出願番号）：特開2002-169066
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 高速伝送対応の小型、薄型で、安価な気密封止型半導体装置を得る。【解決手段】 下地キャリア1上のサブキャリア2に搭載されたレーザダイオード(LD)3およびモニタ用フォトダイオード(PD)4と、LD3の先端に設けられた球レンズ10と、LD3がレンズ方向に全面発光したレーザ光が入射されるファイバ13と、LD3、PD4、球レンズ10およびファイバ13を気密封止する金属フタ12とを備える。
請求項（抜粋）：
キャリア部上に搭載された光半導体素子と、該光半導体素子の先端に設けられた光伝送手段と、上記光半導体素子および光伝送手段を気密封止する上部フタとを備えたことを特徴とする気密封止型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
2H037AA01
, 2H037BA03
, 2H037CA08
, 2H037CA14
, 2H037DA16
, 2H037DA36
, 2H037DA38
, 5F073EA14
, 5F073EA29
, 5F073FA02
, 5F073FA07
, 5F073FA08
, 5F073FA13
, 5F073FA15
, 5F073FA25
, 5F073FA27
, 5F073FA29
