特許
J-GLOBAL ID:200903028569051808
セラミック多層基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-230901
公開番号(公開出願番号):特開平9-083142
出願日: 1995年09月08日
公開日(公表日): 1997年03月28日
要約:
【要約】【目的】 表面導体を内層導体と同じCu系材料で形成した従来のセラミック多層基板では、表面導体の酸化防止のためにNiメッキ処理を行わなければならず、コストのかかるものとなっており、本発明はこれを改善する。【構成】 ビア導体4及び内層導体5を形成したセラミックシートを積層して焼成し、セラミック多層基板1を得る。その最外層にNiペーストをスクリーン印刷し焼成することにより表面導体2を得る。表面導体2自体をCu系材料に比べ酸化に強いNi系材料で構成しているので、Niメッキ処理が不要となる。
請求項(抜粋):
焼成後のセラミック多層基板の表面に、Ni系材料からなるペーストを印刷した後、焼成することにより表面導体を形成したことを特徴とするセラミック多層基板。
IPC (2件):
FI (3件):
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 S
, H05K 1/09 A
引用特許:
審査官引用 (3件)
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セラミック多層配線基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-066322
出願人:松下電器産業株式会社
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特開平4-275486
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特開昭59-054297
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