特許
J-GLOBAL ID：200903028592322991
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220895
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074354
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】ソース拡散層,ドレイン拡散層上のシリサイド膜の膜厚とゲート電極上のシリサイド膜の膜厚とを独立に制御できる電界トランジスタの製造方法を提供すること。【構成】シリコン基板1上に順次堆積されたシリコン酸化膜7,多結晶シリコン層8,厚い金属膜9をゲート電極状にパターニングする工程と、全面に薄い金属膜13を堆積する工程と、熱処理により、厚い金属膜9とゲート電極8とを反応させ、厚いシリサイド膜14cを形成するとともに、薄い金属膜13とソース拡散層12aの表面、薄い金属膜13とドレイン拡散層12bの表面とを反応させ、それぞれの部分に薄いシリサイド膜14a,14bを形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体層と、この半導体層の両側の前記半導体基板に形成されたソース・ドレインとを備えたMOSFETからなる半導体装置において、前記半導体層上には第1の厚い金属珪化物層が形成され、前記ソース・ドレインの表面には第2の薄い金属珪化物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
