特許

J-GLOBAL ID：200903028593314291

半導体ウェハのレーザマーキング方法及びそれに用いられる装置

発明者： 尾野間 一也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324758
公開番号（公開出願番号）：特開2001-138076
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】ドット周辺のばり、熱影響及び内部のマーキング塵を最少とし、底部が平坦なドットを容易に形成することができる半導体ウェハのレーザマーキング方法及びそれに用いられる装置を提供する。【解決手段】レーザ発振器2から射出されたレーザ光1をビームエキスパンダ3にて所定のビーム径に整形した後、マスク型アパーチャ4によりビーム周辺を遮蔽するとともにビーム中心部の所定の範囲を所定の透過率で減衰させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

レーザ発振器から射出されたレーザ光の中心部のエネルギー分布がほぼ平坦となるように管理し、半導体ウェハ上に照射してドットを形成することを特徴とする半導体ウェハのレーザマーキング方法。

IPC (4件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  H01L 21/02 ,  B23K101:40

FI (5件)：

B23K 26/00 B ,  B23K 26/06 E ,  B23K 26/06 J ,  H01L 21/02 A ,  B23K101:40

Fターム (7件)：

4E068AB00 ,  4E068CA03 ,  4E068CD05 ,  4E068CD10 ,  4E068CD13 ,  4E068CK01 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レーザ光による微小マーキング装置とそのマーキング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-323080   出願人：株式会社小松製作所