特許

J-GLOBAL ID：200903028614924664

半導体メモリ装置の電源電圧発生回路

発明者： 康 卜文 ,  柳 承▲むん▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105552
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306185
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】 より低電力形の電源電圧発生回路を提供する。【解決手段】 トランジスタ11〜14よりなる差動増幅回路の動作電流路として、チャネル抵抗を大きくして電流量を抑えた第1電流路iC1と、チャネル抵抗を小さくして電流量を多くした第2電流路iC2と、を設け、切換信号φCTLにより切り換えて使用する。セルフリフレッシュマスタ信号φSRASはリフレッシュモードで論理“ハイ”となり、セットアップパルス信号バーSRSPは実質的リフレッシュ動作中に論理“ハイ”となる。従って切換信号φCTLは、アクティブ状態で論理“ハイ”、待機状態で論理“ロウ”となる信号である。これにより、待機状態では電流量を抑えた第1電流路iC1により動作する一方で、必要時には十分な電流量を得られる第2電流路により動作することが可能になるので、従来より低電力化を図れる。

請求項（抜粋）：

第1電圧と電流制御ノードとの間に設けられ、出力した電源電圧と基準電圧とを入力として該2入力の電圧差に基づき電源電圧を出力する電圧発生手段をもつ半導体メモリ装置の電源電圧発生回路において、前記電流制御ノードと第2電圧との間に、それぞれ異なる抵抗値とした抵抗素子を備えてなる複数の電流制御手段を並列に設け、これら電流制御手段を切換信号でスイッチして使用することにより、メモリ装置の動作状態に応じて前記電圧発生手段を流れる電流量が調整されるようになっていることを特徴とする電源電圧発生回路。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-237284   出願人：富士通株式会社