特許
J-GLOBAL ID:200903028620051966

薄膜トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 中島 淳 ,  加藤 和詳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-092899
公開番号(公開出願番号):特開2009-260340
出願日: 2009年04月07日
公開日(公表日): 2009年11月05日
要約:
【課題】改善された性能を示す半導体層を有する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】改善された移動度及び/又は可撓性を有する薄膜トランジスタを提供する。半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む。前記薄膜トランジスタを製造及び使用する方法を提供する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
改善された移動度と可撓性とを有する薄膜トランジスタであって、 ゲート誘電体層と半導体層とを含み、前記半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む、薄膜トランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (3件):
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A
Fターム (32件):
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
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