特許

J-GLOBAL ID：200903028620687771

ウェーハ洗浄装置

発明者： 南 悟 ,  中浦 健一
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189503
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】1つの洗浄槽で効果的にウェーハを洗浄することができるウェーハ洗浄装置の提供。【解決手段】洗浄槽14に内に収容されたウェーハWは、洗浄槽14内に複数配設されたノズル20Aから洗浄液を噴射されて洗浄される。このとき、ノズル20Aは、ウェーハWの軸線方向に往復動するため、ノズル20Aから噴射される洗浄液は、ウェーハ全体に渡って供給され均一に供給される。また、ノズルから噴射される洗浄液は、ウェーハWとウェーハWとの隙間に効果的に入り込み、ウェーハW内部まで十部に洗浄することができる。

請求項（抜粋）：

ワイヤソーで切断されるとともに、スライスベースにその一端が接着された状態のウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置において、前記ウェーハが収容される洗浄槽と、前記洗浄槽内に収容されたウェーハの軸線方向に沿って移動自在に支持され、前記洗浄槽内に収容されたウェーハに向けて洗浄液を噴射するノズルと、前記ノズルを往復移動させる往復駆動手段と、からなり、前記ノズルを往復移動させながら前記洗浄槽内に収容されたウェーハに向けて洗浄液を噴射して前記ウェーハを洗浄することを特徴とするウェーハ洗浄装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/12

FI (5件)：

H01L 21/304 311 A ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 341 C ,  B08B 3/02 B ,  B08B 3/12 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317441   出願人：京セラ株式会社
• 半導体基板浸漬処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-269503   出願人：日本電気株式会社