特許
J-GLOBAL ID:200903028634604399
相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
和田 憲治 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-187266
公開番号(公開出願番号):特開平11-021664
出願日: 1997年06月30日
公開日(公表日): 1999年01月26日
要約:
【要約】【課題】 相変化型光記録媒体のZnS-SiO<SB>2 </SB>系保護膜をスパッタリングによって成膜するためのターゲット材料として,プレスパッター時間を短縮し且つスパッターレートを増進し,しかも高品質の保護膜が形成できるターゲット材料を得る。【解決手段】 ZnSとSiO<SB>2 </SB>からなるスパッタリングターゲット材料であって,ZnSに対するZnO<SB>2-X </SB>(0≦X<2)とZnCO<SB>3 </SB>の含有比率が,ESCAで検出されるこれら化合物のピーク面積強度で評価したときに,(ZnO<SB>2-X </SB>+Zn(OH)<SB>2</SB>+ZnCO<SB>3 </SB>)/ZnSの面積強度比≦1である,相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料。
請求項(抜粋):
ZnSとSiO<SB>2 </SB>からなるスパッタリングターゲット材料であって,ZnSに対するZnO<SB>2-X </SB>(0≦X<2),Zn(OH)<SB>2</SB> ,ZnCO<SB>3</SB>の含有比率が,ESCAで検出されるこれら化合物のピーク面積強度で評価したときに,(ZnO<SB>2-X </SB>+Zn(OH)<SB>2</SB>+ZnCO<SB>3 </SB>)/ZnSの面積強度比≦1である,相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C 14/34 A
, C04B 35/00 T
引用特許:
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