特許

J-GLOBAL ID：200903028651756607

半導体ウェハの製造方法

発明者： 甲斐 文隆 ,  前田 正彦 ,  川手 賢司
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-323259
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135164
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【目的】 均一な厚さで、裏面がおもて面に影響を与えないと共に、この裏面が表裏を識別できる凹凸を有する半導体ウェハを効率よく製造できる半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体インゴットを切断しウェハを得る。切断されたウェハの切断面を平坦化する。平坦化されたウェハをアルカリエッチングする。エッチングされたウェハの表面を鏡面にすると同時に、裏表を識別できる凹凸が裏面に残るように該裏面を両面研磨装置により研磨する。両面研磨されたウェハを洗浄する。

請求項（抜粋）：

次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。(1)半導体インゴットを切断しウェハを得るインゴット切断工程。(2)切断されたウェハの切断面を平坦化する平坦化工程。(3)平坦化されたウェハをアルカリエッチングするエッチング工程。(4)エッチングされたウェハの表面を鏡面にすると同時に、裏表を識別できる凹凸が裏面に残るように該裏面を両面研磨装置により研磨する両面研磨工程。(5)両面研磨されたウェハを洗浄する洗浄工程。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  C30B 33/10

FI (3件)：

H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 M ,  C30B 33/10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-222144
  
• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-079266   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 特開昭54-122086
  
• 特開平2-222144
  
• 特開昭54-122086