薄膜フォトトランジスタ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山谷晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080310
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288335
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】階調づけの出力が可能な、高感度の薄膜フォトトランジスタを提供すること。【構成】非単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタのソース領域4-1とドレイン領域4-2の間に光照射される活性層4を形成した薄膜フォトトランジスタにおいて、活性層4の側部に入射光を反射する反射体2を形成し、前記活性層4の、基板と反対方向に光反射性のゲート電極6を形成した。

請求項（抜粋）：

非単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタのソース領域(4-1)とドレイン領域(4-2)の間に光照射される活性層(4)を形成した薄膜フォトトランジスタにおいて、活性層(4)の側部に入射光を反射する反射体(2)を形成し、前記活性層(4)の、基板と反対方向に光反射性のゲート電極(6)を形成したことを特徴とする薄膜フォトトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 27/146 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 31/10 E , H01L 27/14 C , H01L 29/78 311 J

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平3-278478
特開平4-246868
特開昭58-122775

全件表示

審査官引用 (14件)

特開平3-278478
特開平3-278478
特開平4-246868

全件表示

前のページに戻る