特許
J-GLOBAL ID：200903028686667550
半導体基板上に形成された磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013231
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 電流消費が低く、極く弱い外部磁場を検出することができ、また直交する2つの方向に沿って磁場を検出することができる磁気センサを提供する。【解決手段】 CMOS技法によって、平行六面体の形状を有する半導体基板(1)上に作成された平面磁気センサである。この磁気センサは、励磁コイル(9)の外側輪郭(90)によって形成される矩形の2本の対角線を占めるギリシャ十字の形状をしたアモルファス強磁性コア(10)を含む。これにより、直列に、かつ差動配列で取り付けられた平坦な検出コイル(70、80、および71、81)を介して、外部磁場(Hext)の2つの直交成分(H1、H2)が測定される。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上に作成されたほぼ平面の磁気センサであって、ほぼ平面であり、かつ前記基板(1)の大きな平面(2)上に作成された、少なくとも1つの磁気コア(10)と、少なくとも1つの励磁回路(9)と、基板(1)の前記大きな面(2)上に作成された少なくとも2つの平面検出コイル(70、80、71、81)で形成された少なくとも1つの検出回路とを含み、前記励磁回路が、ほぼ矩形の外形を有する単一の平面コイル(9)で形成されること、および前記1つまたは複数の磁気コア(10、101A、101B、102A、102B)が、前記平面励磁コイル(9)の外側輪郭(90)によって形成される幾何学的な矩形の2本の対角線に沿ってギリシャ十字形に配列された細長いコアであることを特徴とする磁気センサ。
IPC (3件)：
G01R 33/05
, A61B 5/05
, G01R 33/02
G01R 33/05
, A61B 5/05 A
, G01R 33/02 L
