特許

J-GLOBAL ID：200903068110354192

半導体基板に集積される磁気検出素子及び磁気検出モジュール

発明者： 川人 祥二 ,  中村 哲郎
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-324234
公開番号（公開出願番号）：特開平8-179023
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 感度が高く、正確な磁気の検出を行うことができ、しかも超小型化が可能な半導体基板上に集積される磁気検出素子及び磁気検出モジュールを提供する。【構成】 半導体基板に集積される磁気検出素子において、半導体(シリコン)基板1上に形成される軟磁性膜コア2a,2bと、この軟磁性膜コア2a,2bを交流的に励磁するための金属膜により形成される励磁コイル3bと、金属膜により形成される磁束変化検出用コイル3aとを形成し、軟磁性膜コア2a,2bに励磁コイル3bと磁束変化検出用コイル3aを1ターンずつ交互に巻いた構造を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に集積される磁気検出素子において、(a)半導体基板上に形成される軟磁性膜コアと、(b)該軟磁性膜コアを交流的に励磁するための金属膜により形成される励磁コイルと、(c)金属膜により形成される磁束変化検出用コイルとを形成したことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (3件)：

G01R 33/04 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-219580
  
• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-010008   出願人：富士通株式会社
• 特開昭54-128775