特許

J-GLOBAL ID：200903028699651033

単結晶引き上げ方法

発明者： 小川 正裕 ,  山本 俊行 ,  柏原 義之 ,  前田 徳次
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社 ,  住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253450
公開番号（公開出願番号）：特開平9-087083
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】【課題】 単結晶を引き上げる場合、変形率を許容範囲内に抑えつつ、OSFの密度を減少させることが難しく、品質、生産性の向上を図ることが困難であった。【解決手段】 前回バッチの単結晶Sn-1 の各部位における真円からのずれ(変形率εn-1(Li))を求め、このずれが許容範囲内に納まると共に、OSF密度が小さくなるよう、できるだけ速い速度で引き上げられるように前回バッチの引き上げ速度パターンfpn-1( Li)を更新(fpn( Li))して単結晶Sn を引き上げる単結晶の引き上げ方法。

請求項（抜粋）：

坩堝内の溶融液から単結晶を引き上げる単結晶引き上げ方法において、前回バッチの単結晶の各部位における真円からのずれを求め、該ずれが許容範囲内に納まると共に、酸化誘起積層欠陥密度が小さくなるよう、できるだけ速い速度で引き上げられるように前記前回バッチの引き上げ速度パターンを更新して単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶引き上げ方法。

IPC (4件)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-242992
  
• 単結晶引上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079195   出願人：住友シチックス株式会社