特許

J-GLOBAL ID：200903028701186556

非可逆回路素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法

発明者： 長谷川 隆
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130110
公開番号（公開出願番号）：特開2002-330003
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 全温度での電気特性が優れている非可逆回路素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法を提供する。【解決手段】 上側ケース8及び下側ケース4と、中心電極組立体13と、永久磁石9等にて組み立てられたアイソレータ1の電気特性を磁化調整法により調整する。すなわち、強い外部磁界をアイソレータ1に印加して、アイソレータ1に内蔵されている永久磁石9を着磁させる。この後、着磁とは逆方向に弱い外部磁界をアイソレータ1に印加して、永久磁石9を減磁する。そして、常温(約25°C)でアイソレータ1の電気特性(入出力反射損失、挿入損失、アイソレーションの少なくとも一つ)を測定し、通過周波数帯域の低周波端と高周波端の合否判定基準値内であるかどうか確認する。合否判定基準値から外れていれば、減磁方向に先程よりも若干強い外部磁界を印加して永久磁石9をさらに減磁する。

請求項（抜粋）：

永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加される中心電極組立体と、前記永久磁石および前記中心電極組立体を収容する金属ケースと、前記中心電極組立体に電気的に接続された整合用コンデンサとを備え、通過周波数帯域の低周波端と高周波端でそれぞれ異なる合否判定基準値を設定して、挿入損失、アイソレーションおよび入出力反射損失の少なくともいずれか一つの電気特性を調整したこと、を特徴とする非可逆回路素子。

IPC (2件)：

H01P 1/36 ,  H01P 1/383

FI (2件)：

H01P 1/36 A ,  H01P 1/383 A

Fターム (2件)：

5J013EA01 ,  5J013FA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 非可逆回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-011452   出願人：日立金属株式会社
• 非可逆回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-122593   出願人：太陽誘電株式会社