磁気メモリ素子および情報記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115094
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306160
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】第1の強磁性体層23a 、非磁性体層23b 、第2の強磁性体層23c および反強磁性体層23d をこの順に含む情報記録部23であって、そこへの磁界の印加条件によって層23a,23c の磁化方向が変化し該磁化方向に応じて第1の抵抗値または第2の抵抗値を示し、かつ、磁気抵抗曲線がヒステリシス特性を示す情報記録部23と、該情報記録部23に印加する磁界を形成する電極25と、該情報記録部23に記憶させた抵抗値を検出する電極25とを有する磁気メモリ素子であって、前記抵抗値をより精度良く検出し易い構造の磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】反強磁性体層23d を絶縁性の反強磁性体層で構成する。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性体層、非磁性体層、第2の強磁性体層および反強磁性体層をこの順に含む積層単位を少なくとも1つ含む情報記録部であって、そこへの磁界の印加条件によって前記第1および第2の強磁性体層の磁化方向が変化して該磁化方向に応じて第1の抵抗値または第2の抵抗値を示し、かつ、磁気抵抗曲線がヒステリシス特性を示す情報記録部と、該情報記録部上に設けられ電流が供給されることにより前記磁界を形成する磁界形成用電極と、前記情報記録部に抵抗値検出用電流を供給する抵抗値検出用電極とを有する磁気メモリ素子において、前記反強磁性体層を絶縁性の反強磁性体層で構成したことを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (2件)：

G11C 11/14 , H01L 43/08

FI (2件)：

G11C 11/14 F , H01L 43/08 Z

引用特許：

審査官引用 (9件)

磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-022669 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁気センサとそれを用いた磁気記録再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-052618 出願人：株式会社東芝
特開平3-030181

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