特許
J-GLOBAL ID：200903054064021492
磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022669
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295419
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 それぞれ基板22と、薄い非磁性金属材料層によって分離された2つの強磁性材料薄膜層24、28を含む多層構造とを備えた、複数のMR記憶素子を備えた非揮発性磁気抵抗(MR)記憶素子、アレイまたは装置の提供。【構成】 各記憶素子中の両方の強磁性層の磁化容易軸は、記憶素子のほぼ縦方向で、かつ印加されるセンス電流の方向にほぼ平行に配向される。一方の強磁性層の磁化方向は、記憶素子のほぼ縦方向である方向に固定され、他方の層の磁化方向は、磁化がその層の磁化方向に対してほぼ平行またはほぼ反平行である、2つのディジタル状態の間で自由に切り替わる。
請求項（抜粋）：
基板と、非磁性金属材料層によって分離された2つの強磁性材料層を含む、基板に付着された長方形の多層構造とを備えた非揮発性磁気抵抗記憶素子であって、両方の強磁性層の磁化容易軸が記憶素子のほぼ縦方向に配向され、一方の強磁性層の磁化が記憶素子のほぼ縦方向である1つの方向に固定され、他方の強磁性層の磁化が、印加される磁界に応じて、前記固定された1つの方向に対してほぼ平行な方向とほぼ反平行な方向との間で自由に切り替わることを特徴とする記憶素子。
引用特許：
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