特許
J-GLOBAL ID：200903028721750946
III族窒化物半導体の加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-002576
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184482
出願日： 2006年01月10日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】Cl2やBCl3等の腐食性の高い塩素系ガスを使用することなく、III族窒化物半導体を、表面にダメージを与えることなく高速で加工が可能な加工方法を提供すること。【解決手段】キャリアーガスとして希ガスを含有する水素混合ガスの雰囲気下で、高周波電力が印加される印加電極2とIII族窒化物半導体6の表面との間に水素プラズマ10を発生させ、前記水素プラズマ10によって前記III族窒化物半導体6の表面をエッチング加工するIII族窒化物半導体の加工方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
キャリアーガスとして希ガスを含有する水素混合ガスの雰囲気下で、高周波電力が印加される印加電極とIII族窒化物半導体の表面との間に水素プラズマを発生させ、前記水素プラズマによって前記III族窒化物半導体の表面をエッチング加工することを特徴とするIII族窒化物半導体の加工方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F004AA06
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004DA24
, 5F004DB19
, 5F004EB08
