窒化物半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-216835
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035905
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】しきい値電圧のばらつきのないノーマリーオフ動作の窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、前記第2の半導体層の上の前記第1の領域の両端に隣接する第2、第3の領域にそれぞれ設けられたノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上にそれぞれ設けられ、前記第3の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第4の半導体層と、を備え、前記第2の半導体層の膜厚は、第1の領域および第2、第3の領域において均一であることを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、前記第2の半導体層の上の前記第1の領域の両端に隣接する第2、第3の領域にそれぞれ設けられたノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上にそれぞれ設けられ、前記第3の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第4の半導体層と、を備え、前記第2の半導体層の膜厚は、第1の領域および第2、第3の領域において均一であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/41

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L29/44 L

Fターム (48件)：

4M104AA04 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF03 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM10 , 5F102GN04 , 5F102GN07 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR10 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F140AA24 , 5F140AC28 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BE03 , 5F140BF43 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BK17

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置および電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-175246 出願人：日本電気株式会社

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