特許
J-GLOBAL ID：200903020287634150
半導体装置および電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-175246
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022774
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】高温でのアニール工程を経ることなく低いコンタクト抵抗が得られるHJFETなどの半導体装置に用いるコンタクト層を提供する。【解決手段】ヘテロ接合電界効果トランジスタのオーミック接触されるコンタクト層がGaN層14とこの層の上に形成されたAly Ga1-y N(0 <y≦1)層15とから構成されている。このコンタクト層上にオーミック電極1、3が形成されている。オーミック電極の形成されるコンタクト層をこのような構成とすることにより、高温でのアニール工程を経ることなく低いコンタクト抵抗を得ることができる。また、コンタクト抵抗の電極材料依存性が小さく、熱的に安定なWSi等の高融点材料を電極材料として用いても低いコンタクト抵抗が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III 族窒化物半導体層と前記III 族窒化物半導体層にオーミックに接触するオーミック電極とを有する半導体装置において、前記III 族窒化物半導体層は、GaN層またはn型AluGa1-uN層(但し、0<u≦1)とこのGaN層またはn型AluGa1-uN層の上に形成されたAlyGa1-yN層(但し、0<y≦1)を含んでおり、前記オーミック電極は、このAlyGa1-yN層上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102FA03
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GQ02
, 5F102GR01
, 5F102GR04
, 5F102HC21
