特許

J-GLOBAL ID：200903028739548702

基板載置台、基板処理装置および基板処理方法

発明者： 大橋 薫 ,  速水 利泰
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-079515
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261541
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】 基板載置台による温度制御を高精度なものとし、ウエハ面内での処理の均一化を図る。【解決手段】 基板載置台17の内側の冷媒室28と、外側の冷媒室29との間に、空隙部30が円筒状に設けられる。空隙部30に接続する配管30aは、基板載置台17の下方まで延伸しており、バルブ71を介して真空ポンプ72が接続されている。この真空ポンプ72を用い、空隙部30内を所定の真空状態まで減圧した後でバルブ71を閉じ、空隙部30内を真空状態にすることによって、空隙部30の熱伝導性を低下させ、断熱部として機能させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板を温度制御しつつ載置するための基板載置台であって、 前記基板載置台に、温度調節用媒体を通流させる流路を互いに独立的に複数内設するとともに、 少なくとも二つの前記流路の間に、断熱部を設けたことを特徴とする、基板載置台。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/683

FI (2件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/68 R

Fターム (14件)：

5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA13 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-162160   出願人：ソニー株式会社