特許
J-GLOBAL ID：200903060778922264

プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置

発明者：
福田 誠一

福田 誠一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162160
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017770
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ装置の高温チャンバ壁からの輻射熱の影響を回避しながら、ウェハ上で面内均一性と再現性に優れたドライエッチングを行う。【構成】 ウェハWを保持するステージ9の面内温度分布を、輻射熱の不均一性を相殺できるように不均一化する。そのために、ステージ9の内部に2系統の冷媒流路11,14を同心円状に設け、外側の冷媒流路11には相対的に低温の冷媒、内側の冷媒流路14には相対的に高温の冷媒を供給し循環させる。このようにステージ9の周縁部が一段と冷却されることで、プラズマ・チャンバ3の内壁面からの輻射熱によるウェハWの周縁部の昇温が相殺される。すなわち、ウェハWの表面温度分布が均一化され、均一なドライエッチングが実現する。
請求項（抜粋）：
プラズマ・チャンバ内の不均一な輻射熱の存在下で、該プラズマ・チャンバ内に保持される基板に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記基板を保持するステージの面内温度分布を前記輻射熱の不均一性を相殺するごとく不均一化することにより、該基板の表面温度分布を均一化するプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 F
引用特許：
審査官引用 (7件)
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