炭素薄膜の形成方法および得られた炭素薄膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：東田潔 , 山下雅昭 , 打揚洋次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295663
公開番号（公開出願番号）：特開2004-156057
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】均一なプレティルト角・傾斜角を持つ柱状構造の炭素を含む炭素薄膜の形成と配向性付与とを同時に行う成膜方法、及び得られた炭素薄膜の提供。【解決手段】炭素原子、炭素イオンの蒸発源から得られた炭素原子、炭素イオンを基材表面に対して所定の入射角で入射して成膜し、プレティルト角又は傾斜角度が所定の値に制御された柱状構造の炭素を組織中に有する炭素薄膜を形成する。この炭素薄膜は液晶配向膜又は電界電子放出電極膜等として用いられる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基材表面に炭素薄膜を形成する方法において、炭素原子、炭素イオンの蒸発源から得られた炭素原子、炭素イオンを該基材表面に対して所定の入射角で入射して成膜し、プレティルト角又は傾斜角度が所定の値に制御された柱状構造の炭素を組織中に有する炭素薄膜を形成することを特徴とする炭素薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C14/34 , C23C14/06 , G02F1/1337 , H01J1/304

FI (4件)：

C23C14/34 U , C23C14/06 F , G02F1/1337 515 , H01J1/30 F

Fターム (20件)：

2H090HA11 , 2H090HB06Y , 2H090HD12 , 2H090MA10 , 2H090MB06 , 4K029BA34 , 4K029BB07 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029CA15 , 4K029DA10 , 5C135AA09 , 5C135AA12 , 5C135AA15 , 5C135AB05 , 5C135AC07 , 5C135GG20 , 5C135HH16 , 5C135HH20

引用特許：

審査官引用 (7件)

配向膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-192436 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
特開昭51-088044
特開昭61-190065

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