特許
J-GLOBAL ID：200903028756558380

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者：
岡本 圭史

岡本 圭史 について

, 
吉見 雅士

吉見 雅士 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-289138
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124489
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 低温プラズマCVD法で形成する結晶質シリコン系薄膜光電変換層の成膜速度を高速化することによって、光電変換装置の生産効率を高めるとともにその性能をも改善する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置に含まれる結晶質光電変換層をプラズマCVD法で堆積する条件として:下地温度が550°C以下であり;プラズマ反応室内に導入されるガスの主要成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつシラン系ガスに対する水素ガスの流量が50倍以上であり;反応室内の圧力は光電変換層の堆積開始時において5Torr以上の第1の圧力にあり、かつその堆積の終了時には第1の圧力より高い第2の圧力まで増大させられていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換装置は基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットの少なくとも1つはプラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層と、逆導電型半導体層とを含む多結晶型光電変換ユニットであり、前記結晶質光電変換層を前記プラズマCVD法で堆積する条件として、下地温度が550°C以下であり、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつ前記シラン系ガスに対する前記水素ガスの流量比が50倍以上であり、前記反応室内の圧力は前記光電変換層の堆積開始時において5Torr以上の第1の圧力にあり、かつその堆積の終了時には前記第1の圧力より高い第2の圧力まで増大させられていることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 31/04 B ,  H01L 21/205
Fターム (30件)：
5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045EE14 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA16 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17
引用特許：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM