特許

J-GLOBAL ID：200903028759955282

有機半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 板橋 哲
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-041535
公開番号（公開出願番号）：特開2003-241689
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 有機半導体によるTFTとLEDを簡便なプロセスで作成。【解決手段】 共通の基板上に、有機半導体による薄膜トランジスタと発光素子が形成されている有機半導体デバイスにおいて、薄膜トランジスタのゲート電極と発光素子の一方の電極出る第一の電極、薄膜トランジスタの主電極の少なくとも一方と発光素子のもう一方の電極である第二の電極、発光素子の薄膜トランジスタの有機半導体層と発光素子の少なくとも一層の有機半導体層が各々共通であることを特徴とする有機半導体デバイス。

請求項（抜粋）：

共通の基板上に、有機半導体による薄膜トランジスタと発光素子が形成されている有機半導体デバイスにおいて、薄膜トランジスタのゲート電極と発光素子の一方の電極出る第一の電極、薄膜トランジスタの主電極の少なくとも一方と発光素子のもう一方の電極である第二の電極、発光素子の薄膜トランジスタの有機半導体層と発光素子の少なくとも一層の有機半導体層が各々共通であることを特徴とする有機半導体デバイス。

IPC (7件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (7件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 612 Z

Fターム (36件)：

3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5C094AA43 ,  5C094AA45 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 有機薄膜EL装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-274645   出願人：出光興産株式会社
• 発光ダイオ-ド装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-113536   出願人：キヤノン株式会社
• 有機発光ダイオ-ドとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-148990   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド