特許
J-GLOBAL ID：200903028761699420
光半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070155
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202327
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 波長変化時に短波長側に偏移した発振波長が初期波長を横切って長波長側に偏移してしまうことを解消した、応答速度の速い波長可変半導体レーザを提供すること。【構成】 n型クラッド層(基板10及びバッファ層11)とp型クラッド層15との間に、発光に寄与する活性層13と注入キャリアを蓄積するキャリア蓄積層14とが積層されたDFB型の波長可変半導体レーザにおいて、キャリア蓄積層14を活性層13に対しp型クラッド層15側に設け、キャリア蓄積層14の厚さD,幅W及び長さLを、注入電流に対するプラズマ効果による波長偏移の大きさが注入電流に対する熱効果による波長偏移の大きさよりも大きくなるように設定したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
異なる導電型の2つのクラッド層の間に、発光に寄与する活性層と注入キャリアを蓄積するキャリア蓄積層とが積層されており、前記キャリア蓄積層の厚さを注入電流に対するプラズマ効果による波長偏移の大きさが注入電流に対する熱効果による波長偏移の大きさよりも大きくなるように設定してなることを特徴とする光半導体素子。
引用特許：
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