特許

J-GLOBAL ID：200903028769050253

めっき方法、及び半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 優美 ,  水澤 寧 ,  藍谷 輝一 ,  大和田 伸郎 ,  毛 大欣
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268590
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハ等を銅めっき処理するに際し、めっき液に平坦化剤を添加しなくてもオーバープレーティングの発生を防止できるめっき方法を提供する。【解決手段】 ボトムアップフィル工程SP1で半導体ウェハWに形成されたホールやトレンチ等の凹部H内の埋め込みを実施した後、添加剤除去工程SP2において、凹部Hの近傍に集積した促進剤を除去する。その後、フィールド成膜工程SP3において凹部H上方のフィールド成膜を行う。

請求項（抜粋）：

凹部が設けられた被処理体の被成膜面上に金属膜を形成せしめるめっき方法であって、前記被処理体を、金属イオン及び所定の添加剤が含有されて成るめっき液中に浸漬し、電解めっき法により前記凹部の内部を前記金属で埋め込むボトムアップフィル工程と、前記凹部の埋め込みが終了した後に、前記凹部の近傍に存在する前記所定の添加剤の少なくとも一部を前記被成膜面上から除去する添加剤除去工程と、前記所定の添加剤の少なくとも一部が除去された前記被成膜面上に、電解めっき法により前記金属を堆積せしめるフィールド成膜工程と、を備えるめっき方法。

IPC (5件)：

C25D 7/12 ,  C25D 5/18 ,  C25D 5/34 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

C25D 7/12 ,  C25D 5/18 ,  C25D 5/34 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 K

Fターム (41件)：

4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA08 ,  4K024CB01 ,  4K024CB05 ,  4K024GA16 ,  4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033LL08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ91 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法、電解めっき方法および電解めっき装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-345660   出願人：松下電子工業株式会社
• めっき浴から堆積される金属層の特性改善方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-187840   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• 半導体ウェハ上に銅層を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-128669   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド