特許

J-GLOBAL ID：200903028778045297

蒸着方法及び表示装置の製造方法

発明者： 西川 龍司 ,  山田 努
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 須藤 克彦 ,  岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086790
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006282
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】蒸着層の界面状態を安定化すると共に、蒸着層の厚さ、材料を最適化する。【解決手段】ガラス基板130の表面に蒸着マスク111を密着させ、2つの蒸着源140,141をガラス基板130の表面に沿って移動させながら、蒸着マスク111に設けられた複数の開口部112を通して基板130の表面に蒸着材料を蒸着することによりパターン形成を行なう。2つの蒸着源140,141は、それぞれ異なる蒸着材料を備えている。これら蒸着源140、141を順次にまたは同時に移動させることにより、2つの蒸着層を連続形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に蒸着マスクを配置し、複数の蒸着源を前記基板の表面に沿って移動させながら、前記蒸着マスクに設けられた複数の開口部を通して前記基板の表面に前記複数の蒸着源から蒸着材料を蒸着することによりパターン形成を行うことを特徴とする蒸着方法。

IPC (4件)：

H05B33/10 ,  C23C14/24 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

FI (4件)：

H05B33/10 ,  C23C14/24 C ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A

Fターム (9件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029HA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-394259   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所