半導体に分離部を形成する方法及び半導体デバイス

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025509
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228442
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】浅トレンチ分離バイアの寄生漏れを低減すること。【解決手段】窒化ケイ素ライナの付着前に絶縁酸化物層20を付着させることにより、窒化ケイ素ライナ43と活性シリコン側壁との距離を増加する。好ましくは、絶縁酸化物層20はオルトケイ酸テトラエチルを含む。この方法は、エッチングを施して半導体ウェハ内に1つ又は複数の浅トレンチ分離を形成することと、トレンチ内に絶縁酸化物層20を付着させることと、トレンチ内で熱酸化物23を成長させることと、トレンチ内に窒化ケイ素ライナ43を付着させることからなる。熱酸化物23は、絶縁酸化物層20の付着の前又は後に成長させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ボディに分離部を形成する方法であって、(a)誘電体層を有するシリコン・ウェハを準備するステップと、(b)エッチングを行い、前記ウェハにトレンチを形成するステップと、(c)前記トレンチに絶縁体層を付着するステップと、(d)前記トレンチに熱酸化物を成長させるステップと、(e)前記トレンチに窒化ケイ素ライナを付着するステップと、を有する、方法。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平1-282836
特開平2-304947
特開平1-258439

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審査官引用 (9件)

特開平1-282836
特開平1-282836
特開平2-304947

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