特許
J-GLOBAL ID：200903028799082575
半導体装置の製造装置および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082139
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280398
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【構成】 半導体装置の製造装置10は、フィルム吸着コレット12を含み、製造装置10には、電極パターン18が連続的に複数設けられたフレーム16が供給される。電極パターン18はダイボンディング(DB)領域18aを有しており、フィルム吸着コレット12によって、DB領域18aにDBフィルム24が貼り付けられる。DBフィルム24をDB領域18aに圧着するときに、フィルム吸着コレット12がフレーム16側に押圧されると、フィルム吸着コレット12の吸着部が変形し、アーケード状に形成された吸着面が次第に平坦面に変形される。この変形に従って、フレーム16とDBフィルム24との間の空気が押し出され、DBフィルム24がDB領域18aに圧着される。【効果】 ボイドの発生がなく、リフロー時に半導体装置にクラックが発生するのを防止できる。
請求項（抜粋）：
フレーム上にダイボンディングフィルムを介して半導体チップをダイボンディングした半導体装置の製造装置であって、前記ダイボンディングフィルムを吸着して前記フレーム上に貼り付けるかつ突状に湾曲した吸着面を有するコレットを備える、半導体装置の製造装置。
Fターム (5件)：
5F047AA11
, 5F047BB03
, 5F047BB05
, 5F047BB16
, 5F047FA25
