特許
J-GLOBAL ID：200903028804466506
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370721
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195935
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 異常放電を膜種,エッチング条件に係らず防止できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 ウェハー固定に静電吸着方式を採用し、リフトピンによりウェハーをウェハーステージから離脱させる半導体製造装置において、リフトピンの上部3を絶縁物より形成し、リフトピンの下部4を導電材料より形成し、ドライエッチングの際にリフトピンの下部4までプラズマが回り込まない形状、例えば、逆山形または波形にすることでリフトピンの導電部がプラズマにさらされることがなくなり、異常放電を防止する。
請求項（抜粋）：
ウェハー固定に静電吸着方式を採用し、リフトピンによりウェハーをウェハーステージから離脱させる半導体製造装置において、前記リフトピンの上部を絶縁物より形成し、前記リフトピンの下部を導電材料より形成し、ドライエッチングの際に前記リフトピンの下部までプラズマが回り込まない形状にすることで前記リフトピンの導電部がプラズマにさらされることがなくなり、異常放電を防止できることを特徴とする半導体製造装置。
Fターム (6件)：
5F031CA02
, 5F031HA16
, 5F031HA33
, 5F031MA32
, 5F031PA26
, 5F031PA30
