特許

J-GLOBAL ID：200903028836366201

原子層堆積法を用いて基板上に高誘電率材料を堆積する方法

発明者： ヨシ オノ ,  ウェイ-ウェイ サン ,  ラジェンドラ サランキ
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180523
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068732
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 原子層堆積法を用いて基板上に高誘電率材料を堆積する方法を提供すること。【解決手段】 本発明による基板上にHigh-k誘電体膜を形成する方法は、a)原子層堆積チャンバ内に半導体基板を提供する工程と、b)基板を原子層堆積レジーム内の温度まで加熱する工程と、c)無水ハフニウム硝酸塩を原子層堆積チャンバ内に導入する工程と、d)原子層堆積チャンバを窒素または不活性ガスでパージする工程と、e)水和ガスを原子層堆積チャンバに導入して、ハフニウム酸化物の分子層を堆積する工程とを包含する。

請求項（抜粋）：

基板上にHigh-k誘電体膜を形成する方法であって、a)原子層堆積チャンバ内に半導体基板を提供する工程と、b)該基板を原子層堆積レジーム内の温度まで加熱する工程と、c)無水ハフニウム硝酸塩を該原子層堆積チャンバ内に導入する工程と、d)該原子層堆積チャンバを窒素または不活性ガスでパージする工程と、e)水和ガスを該原子層堆積チャンバに導入して、ハフニウム酸化物の分子層を堆積する工程とを包含する、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (12件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-122174   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション