半導体薄膜法で使用される多くの液状前駆物質に対する気化シーケンス方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177761
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088191
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】ドープされた酸化膜中のドーパントの均質性を向上させること。【構成】 1以上の液状前駆物質源を用いて半導体基板上の薄膜を処理する方法及び装置に関する。まず、最高の蒸気圧を有する液状前駆物質源50が、処理チャンバーに接続された共通のマニホールド30に蒸気として導入される。この導入部は、処理チャンバーから離隔されている。それから、第1液状前駆物質源より低い蒸気圧を有する第2液状前駆物質源60が、処理チャンバーにより近い点34で、気化した状態でマニホールドに導入される。これが各液状前駆物質源に対して繰り返され、その場合、次に低い蒸気圧を有する後続の各液状前駆物質源が、先の液状前駆物質源より処理チャンバーに近い点で、気化した状態でマニホールドに導入される。温度勾配は、気化前の液状前駆物質源の早期沸騰又は既に気化した液状前駆物質源若しくは液状成分の凝縮をなお軽減しつつ、マニホールドに沿って処理チャンバーに向かう方向で温度が徐々に高くなるようにして維持されるのがよい。

請求項（抜粋）：

2以上の液状前駆物質源(liquid precursor source )を使用して半導体基板上で薄膜を処理するための方法であって、a)共通(common)温度での前記液状前駆物質の各々の相対的蒸気圧を決定する工程と、b)最高の蒸気圧を有する第1液状前駆物質源を気化させ、マニホールド内への前記気化された第1液状前駆物質源の導入点を処理チャンバーから離隔させて、前記処理チャンバーにも接続された前記マニホールド内に、結果として生じた蒸気を導入する工程と、c)前記第1液状前駆物質源より低い蒸気圧を有する第2液状前駆物質源を気化させ、前記気化された第1液状前駆物質源の前記導入点より前記処理チャンバーに近い前記気化された第2液状前駆物質源の導入点で、結果として生じた蒸気を前記マニホールド内に導入する工程と、を備える方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平1-294868
特開平4-028227
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-297042 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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審査官引用 (5件)

特開平1-294868
特開平4-028227
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-297042 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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