特許
J-GLOBAL ID：200903028866466600
薄膜太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三品 岩男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228412
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074967
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】従来用いることができなかった新規な組成のp型CIS系材料を光吸収層とした太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】光吸収層12として、Ib族元素と、III族元素と、VIb族元素とを含むp型の化合物半導体薄膜を有する。化合物半導体薄膜は、Ia族元素が添加され、化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率が、0.22以上0.75以下である。
請求項（抜粋）：
光吸収層として、Ib族元素と、III族元素と、VIb族元素とを含むp型の化合物半導体薄膜を有し、前記化合物半導体薄膜は、Ia族元素が添加され、前記化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率が、0.22以上0.75以下であることを特徴とする薄膜太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, C23C 14/06 L
