特許

J-GLOBAL ID：200903045990490308

太陽電池とその製造方法

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005832
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211927
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 スーパストレート構成の太陽電池における光吸収層を改良して、エネルギー変換効率を向上する。【構成】 窓層上に、I族元素のIII族元素に対する組成比が0.5以下となるI族III族VI族からなる化合物薄膜を堆積し、その上にほぼ化学量論比組成となるカルコパイライト構造半導体薄膜を堆積して光吸収層を形成した太陽電池。

請求項（抜粋）：

窓層上に堆積された、I族元素のIII族元素に対する組成比が0.5以下であるI族III族VI族元素からなる化合物薄膜と、前記化合物薄膜上に堆積された、I族III族VI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜とから形成される光吸収層を具備する太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-369871
  
• 薄膜太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-220809   出願人：富士電機株式会社