特許

J-GLOBAL ID：200903028867605093

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 小野田 宏 ,  味香 夏夫 ,  九ノ里 勇一 ,  大井 誠 ,  福本 敦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093005
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177360
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 読出速度などの性能を損なうことなく高電圧周辺回路領域のトランジスタの高耐圧化を図る。【構成】 この発明に基づく不揮発性半導体記憶装置は、高電圧周辺回路と低電圧周辺回路とを備えている。そして、高電圧周辺回路領域に形成されたトランジスタの少なくともドレイン領域側の低濃度不純物領域72のチャネル長方向の長さが、低電圧周辺回路形成領域に形成されたトランジスタの低濃度不純物領域72のチャネル長方向の長さよりも長くなっている。

請求項（抜粋）：

情報を記憶するためのメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの動作を制御する周辺回路とを有し、前記周辺回路は、相対的に高電圧が印加される第1のトランジスタを有する高電圧周辺回路と、相対的に低電圧が印加される第2のトランジスタを有する低電圧周辺回路とを含む不揮発性半導体記憶装置であって、前記第1のトランジスタの第1のチャネル領域を規定するように第1導電型の半導体基板の主表面に形成された第2導電型の一対の第1の低濃度不純物領域と、前記第1のチャネル領域上に絶縁膜を介在して形成された第1のゲート電極と、前記半導体基板主表面において、前記第1の低濃度不純物領域の前記第1のチャネル領域側の端部よりも第1の距離だけ前記第1のゲート電極から離れた位置に端部を有し、前記第1のゲート電極から遠ざかる方向に延びる第2導電型の一対の第1の高濃度不純物領域と、前記第2のトランジスタの第2のチャネル領域を規定するように前記半導体基板の主表面に形成された第2導電型の一対の第2の低濃度不純物領域と、前記第2のチャネル領域上に絶縁膜を介在して形成された第2のゲート電極と、前記半導体基板主表面において、前記第2の低濃度不純物領域の前記第2のチャネル領域側の端部よりも前記第1の距離より短い第2の距離だけ前記第2のゲート電極から離れた位置に端部を有し、前記第2のゲート電極から遠ざかる方向に延びる第2導電型の一対の第2の高濃度不純物領域と、を備えた不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-198715   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-066171
  
• 特開平3-195057
  
• 特開平1-235369