特許
J-GLOBAL ID：200903028875756580
半導体レーザ素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269606
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 Zn拡散型ウィンドウ構造の可視光半導体レーザにおいて、励起領域へのZnの拡散を抑制し、品質の低下を防止して発光効率の高い半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 半導体基板上にクラッド層130、歪補償多重量子井戸構造の活性層110、クラッド層120を有し、かつその端部にはZn拡散領域230が形成されてウィンドウ構造の半導体レーザとする。活性層110を歪補償多重量子井戸構造とすることで、Zn拡散のための熱処理を低温かつ短時間にすることができ、励起領域へのZnの拡散を抑制して品質の低下を防ぎ、これにより発光効率の高い、特性の良好なZn拡散型ウィンドウ構造の可視光半導体レーザ素子が作製可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された活性層と、該活性層を含む一対のクラッド層とを備え、かつZn拡散によりウィンドウ構造にした半導体レーザにおいて、前記活性層を歪補償多重量子井戸構造とすることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (12件)：
5F073AA09
, 5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA87
, 5F073CA06
, 5F073CA07
, 5F073CA14
, 5F073CA15
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA12
