特許
J-GLOBAL ID：200903033500320657

半導体装置及びその作製方法

発明者：
田中 俊明

田中 俊明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140827
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340568
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体層に設ける拡散領域や拡散方式について新たに考案し、利得領域の結晶品質を低下させない拡散手法により所望の特性を達成できる半導体素子を提供することが課題である。【解決手段】 積層した半導体層に対して、半導体電子素子の溝側面や光素子の端面から水平方向に不純物拡散させ、電流狭窄や禁制帯幅増大させた領域を設ける構成とする。【効果】 本発明の実施例によると、半導体素子の基本特性を損なうことなく注入電流の利用効率を高め、より高い利得特性を得ることができる。本手法では、必要な領域以外に対して不純物拡散を行わないため、利得領域の結晶品質を極端に劣化させずに混晶化による電流狭窄や禁制帯幅増大の効果を得た。発光素子では、端面窓構造を制御性よく設計通りに作製でき、所望の高出力特性が再現性よく得られる半導体レーザ素子を提供できた。これにより、従来素子に比べて低閾値動作でかつ安定な高出力特性を実現した。
請求項（抜粋）：
基板上に設けたヘテロ構造を有する多種の半導体層において、積層した半導体層の溝側面或いは端面に固相の不純物拡散源を薄膜として形成しておき、該半導体層の積層方向とは垂直な方向から不純物拡散を行うことにより、積層した他の半導体層に比較して内部の特定の半導体層に選択的に深く拡散領域を設けてあることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/22
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/22 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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