特許
J-GLOBAL ID：200903028884028270
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115840
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307418
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 動作の高速化、電力消費の低減及び雑音特性の改善等を可能にした入力インバータを有する半導体集積回路を提供する。【解決手段】 相補型MOSトランジスタで構成される入力インバータ回路Q11〜Q14の電源電圧として、半導体集積回路の入力論理ハイレベルの最小規格値の電圧VOに、閾値電圧発生回路28で発生したPチャネル型MOSトランジスタQ11の閾値電圧VTPを加えた電圧とする。入力信号がハイレベルの時にトランジスタの特性のバラツキに関係なくPチャネル型MOSトランジスタ11をオフに近い状態に適正且つ安定に維持できるため、動作の高速化、貫通電流の削減による電力消費の低減及び雑音特性の改善が可能となる。
請求項（抜粋）：
相補型MOSトランジスタで構成される入力インバータを有する半導体集積回路において、前記入力インバータの電源電圧は、論理ハイレベルの入力電圧よりP導電型MOSトランジスタの閾値電圧の絶対値だけ高い電圧程度に設定することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (7件)：
H03K 19/0175
, H03K 17/16
, H03K 17/687
, H03K 19/0185
, H03K 19/003
, H03K 19/01
, H03K 19/0948
H03K 19/00 101 K
, H03K 17/16 L
, H03K 19/003 C
, H03K 19/01
, H03K 17/687 F
, H03K 19/00 101 E
, H03K 19/094 B
