特許
J-GLOBAL ID：200903028895206560
枚葉式リアクタ内の、排ガスを加熱するための穴のあいた下方ライナ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-137330
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045861
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 排気通路内の堆積物形成を低減し、チャンバ下部からの金属汚染を減らすことのできる方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明は、排ガスを加熱するための通気口を有する下部ライナを備えた枚葉式リアクタである。本発明の装置は反応チャンバを含む。チャンバを上部と下部に分割するウェーハ支持部材がチャンバ内部に配置されている。チャンバからガスを排出するためのガス出口は、チャンバ下部からガスを排出する通気穴と、チャンバ上部からガスを排出する排気通路開口部とを有する。加熱された不活性パージガスが、排気通路内における堆積ガスの凝縮を防止するように、チャンバ下部から通気穴を通して送られる。
請求項（抜粋）：
半導体リアクタ内において、所定形状体を堆積する方法であって、堆積ガスを反応チャンバ内に流し入れるステップと、前記堆積ガスを排気通路を通して排出させるステップと、前記排気通路内における前記堆積ガスの凝縮を防止するような流量で、加熱された不活性パージガスを前記排気通路内に流入するステップと、を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
