特許
J-GLOBAL ID：200903043446120340

化学気相成長方法及びそれに用いる化学気相成長装置

発明者：
塚本 克彦

塚本 克彦 について

, 
渡部 将弘

渡部 将弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249617
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 化学気相成長方法及びそれに用いる化学気相成長装置に関し、化学気相成長装置の排気系内部の清浄化を容易にする。【構成】 反応室1内に導入した材料ガスが該反応室1内の被処理基板表面で化学反応して薄膜を形成した後、未反応の材料ガスFGを排気系7を介して排気するに際し、該排気系7内へ加熱された不活性ガスIGh を導入する方法、及び、随時、該反応室1内への材料ガスの導入及び該被処理基板表面での化学反応を停止した後、該排気系7に、直接、プラズマレスエッチングガスEGを導入し、該プラズマレスエッチングガスEGによって、該排気系7を構成する排気配管4A,4B 及び排気装置8内に該未反応材料ガスFGの2次的な反応により堆積した反応生成物をエッチング除去する工程を有する方法、及びそれらの方法に用いる装置。
請求項（抜粋）：
反応室(1) 内に導入した材料ガスが該反応室(1) 内の被処理基板表面で化学反応して薄膜を形成した後、未反応の材料ガス(FG)を排気系(7)を介して排気するに際し、該排気系(7) 内へ加熱された不活性ガス(IGh )を導入して該排気系(7) 内の未反応ガス(FG)を昇温且つ希釈し、該排気系(7) を構成する排気配管(4A,4B) 及び排気装置(8) 内で該未反応ガス(FG)により発生する反応生成物及びその堆積の量を抑制することを特徴とする化学気相成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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