特許
J-GLOBAL ID：200903028927968441

オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法

発明者：
今野 英雄

今野 英雄 について

, 
佐々木 義之

佐々木 義之 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032207
公開番号（公開出願番号）：特開2004-238379
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】脱ハロゲン化剤やアセチルアセトンなどの配位子を使用することなく、架橋イリジウムダイマーから1段階で高収率、高純度でかつ短時間でオルトメタル化イリジウム錯体を製造できる方法を提供する。【解決手段】架橋イリジウムダイマーと有機配位子とを反応させてオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法において、該反応を塩基性物質の存在下で行う。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ハロゲン配位子で架橋されたイリジウムダイマーと有機配位子を反応させてオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法において、該反応を塩基性物質の共存下で行うことを特徴とするオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。
IPC (1件)：
C07F15/00
FI (1件)：
C07F15/00 E
Fターム (8件)：
4H039CA93 ,  4H050AA02 ,  4H050AB92 ,  4H050BA51 ,  4H050BB14 ,  4H050WB11 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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