薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-076495
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212476
出願日： 2008年03月24日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ON/OFF比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B

Fターム (59件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (14件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
特開昭61-005578
特開昭62-042564

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