非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325366
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165529
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】TFTの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。【解決手段】非晶質酸化物が微結晶を含む、又は層厚方向に組成が変化していること、又は所定の材料を含むことを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

非晶質酸化物であって、前記非晶質酸化物は、微結晶を含み且つ電子キャリア濃度が1018/cm3未満であることを特徴とする非晶質酸化物。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , C01G 15/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B , C01G15/00 Z

Fターム (29件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG36 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK08 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-096983 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (7件)

半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-030000 出願人：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
光検出装置、及びその実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-104477 出願人：富士ゼロックス株式会社, 株式会社マクニカ, ケイテックデバイシーズ株式会社
NOxガス検知半導体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-012873 出願人：株式会社豊田中央研究所

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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