特許
J-GLOBAL ID：200903028938319399
相変化記憶素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357269
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019687
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 下部電極と相変化膜との接触面積を減らし電流量を減少させることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下部パターンが備えられた半導体基板、半導体基板上に形成された層間絶縁膜、層間絶縁膜内に形成された複数のコンタクトプラグ、コンタクトプラグ上に形成され、両側面が第1酸化膜、相変化膜、窒化膜及び第2酸化膜と接するように形成された複数の下部電極、下部電極間の層間絶縁膜部分上に形成され、両側面が第1酸化膜、相変化膜、窒化膜、第2酸化膜と接するように形成された上部電極、第1酸化膜と窒化膜との間に形成され、下部電極及び上部電極の側面と接するように形成された相変化膜、第2酸化膜と下部電極及び上部電極上に形成され、上部電極を露出させるコンタクトホールが備えらえた第3酸化膜、上部電極とコンタクトするようにコンタクトホールの内部及び第3酸化膜上に形成された金属配線を含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
その上面に下部パターンが備えられた半導体基板と、
前記下部パターンを覆うように半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜内に形成された複数のコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグ上に形成された複数の下部電極と、
前記下部電極間の層間絶縁膜部分上に形成された上部電極と、
前記下部電極と上部電極の間の前記層間絶縁膜に、下部電極及び上部電極の側面と接するように形成された第1酸化膜と、
前記下部電極と上部電極の間の前記第1酸化膜上に、下部電極及び上部電極の側面と接するように形成された相変化膜と、
前記下部電極と上部電極の間の前記相変化膜上に、下部電極及び上部電極の側面と接するように形成された窒化膜と、
前記下部電極と上部電極の間の前記窒化膜上に、下部電極及び上部電極の側面と接するように形成された第2酸化膜と、
前記第2酸化膜と下部電極及び上部電極上に形成され、前記上部電極を露出させるコンタクトホールが備えられた第3酸化膜と、
前記上部電極とコンタクトするようにコンタクトホールの内部及び第3酸化膜上に形成された金属配線とを含むことを特徴とする相変化記憶素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA05
, 5F083GA27
, 5F083MA06
, 5F083MA19
