特許

J-GLOBAL ID：200903028947610969

半導体デバイス

発明者： リチャード ダブリュー.グレガー ,  イジック シー.キジルヤリー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106377
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303424
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 経年劣化に強い半導体デバイスとその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明のデバイスは、基板と、前記基板上に配置され、相当濃度の水素同位元素を含有する層とからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(A)基板(12)と、(B)前記基板(12)上に形成され、相当濃度の水素同位元素を含有する層と、からなることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-050664
  
• 特開昭61-116873
  
• 半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-170927   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所