特許

J-GLOBAL ID：200903028948461266

ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法および装置、およびその方法および装置を用いて作製された冷陰極

発明者： 佐藤 史郎 ,  斎藤 信雄 ,  平野 喜之 ,  大西 弘幸 ,  谷岡 健吉
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295377
公開番号（公開出願番号）：特開平11-130589
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】 従来のレーザアブレーション法やCVD法によってダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜を成膜したのでは、その膜に結晶成分の含まれる割合が小さかった。【解決手段】 レーザアブレーション法またはCVD法によって基板上にダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜を成膜するにあたり、基板上へのダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の堆積中または堆積後に、それら膜の堆積面に炭素または不純物の多価イオンビーム(図1(b)に、多重丸で示す)を照射するようにした。

請求項（抜粋）：

レーザアブレーション法またはCVD法によって基板上にダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜を成膜するにあたり、前記基板上へのダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の堆積中または堆積後に、それら膜の堆積面に炭素または不純物の多価イオンビームを照射するようにしたことを特徴とするダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/04 W ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-100093
  
• ダイヤモンドの合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-045686   出願人：出光石油化学株式会社
• 電子放出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-006587   出願人：住友電気工業株式会社, 杉野隆, 白藤純嗣
• 特開昭56-022616
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Investigation of diamondlike carbon thin films synthesized by dual ion beam assisted deposition