特許
J-GLOBAL ID:200903028950875990

低温焼成回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-014906
公開番号(公開出願番号):特開平9-074256
出願日: 1996年01月31日
公開日(公表日): 1997年03月18日
要約:
【要約】【課題】 接着信頼性が高く、基板の反りを有効に抑え、しかも半田濡れ性などの実用性に優れた表面配線導体を有する一体焼成型の低温焼成回路基板を提供する。【解決手段】本発明は、ガラス-セラミック材料からなる未焼成基板上に、表面配線導体2となるAg系導体膜を形成した後、前記導体膜及び未焼成基板とを一体的に焼結して成る低温焼成回路基板10である。前記Ag系表面配線導体には、V2 O5を含有している。また、前記V2 O5 は、金属成分に対して0.2〜1wt%含有している。
請求項(抜粋):
ガラス-セラミック材料からなる基体の少なくとも表面にAgを主成分とする配線導体を被着形成して成る低温焼成回路基板において、前記基体表面の配線導体に、V2 O5 を含有させたことを特徴とする低温焼成回路基板。
IPC (3件):
H05K 1/09 ,  H01L 21/60 301 ,  H05K 3/46
FI (5件):
H05K 1/09 A ,  H01L 21/60 301 A ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 N
引用特許:
審査官引用 (3件)

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